Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 33

Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.3 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 31
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 18.3
Скорость записи, Гб/сек

7.3 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 3414

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM