RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2690
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link