RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2409
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link