Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.6 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 26
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 15.6
Скорость записи, Гб/сек

7.3 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 2382

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

модули RAM

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kingston KF2666C16S4/16G 16GB

Kingston KF2666C16S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston 9965669-005.A01G 16GB

Kingston 9965669-005.A01G 16GB

модули RAM