RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2872
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link