Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 33

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.7 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 25
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 14.3
Скорость записи, Гб/сек

7.3 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 2583

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Maxsun MSD48G30Q3 8GB

Maxsun MSD48G30Q3 8GB

модули RAM