RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
62
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1808
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link