Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 33

Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.3 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 27
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 17.4
Скорость записи, Гб/сек

7.3 17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 3714

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB

модули RAM