RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3694
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link