RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
6.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1760
2687
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link