RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Kingston 9905625-075.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
51
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
40
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
13.0
Скорость записи, Гб/сек
7.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2049
2522
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Сравнения RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link