RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2849
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link