RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3025
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link