RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3153
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link