Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 49

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.9 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.1 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 31
Скорость чтения, Гб/сек

10.0 17.9
Скорость записи, Гб/сек

8.2 15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2116 3443

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

модули RAM