RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3772
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link