RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
77
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
10
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
77
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
1688
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link