RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2113
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link