RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2440
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link