RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Kingston 9905624-019.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
49
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2350
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link