RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Kingston 9905711-038.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3181
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link