RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Kingston KHX2666C15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2519
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link