Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Kingston KYXC0V-MID 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Причины выбрать
Kingston KYXC0V-MID 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 49

Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.2 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 36
Скорость чтения, Гб/сек

10.0 15.2
Скорость записи, Гб/сек

8.2 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2116 2903

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

модули RAM