Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 49

Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.2 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 41
Скорость чтения, Гб/сек

10.0 16.2
Скорость записи, Гб/сек

8.2 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2116 2847

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB

Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G

модули RAM