RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
49
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
19
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3435
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link