RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
49
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
43
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2058
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link