RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2124
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link