RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против AMD R748G2133U2S-UO 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link