RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против AMD R748G2400U2S-UO 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
21
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3120
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link