RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3010
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link