Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 34

Около 21% меньшая задержка

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.4 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 34
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 15.4
Скорость записи, Гб/сек

7.3 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2057 2791

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

модули RAM

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM