RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2964
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link