Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 35

Около 23% меньшая задержка

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.6 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 35
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 13.6
Скорость записи, Гб/сек

7.3 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2057 2468

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB

A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston 99U5700-014.A00G 8GB

Kingston 99U5700-014.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

модули RAM

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

модули RAM