RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
67
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
67
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
1876
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link