Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 69

Около 61% меньшая задержка

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.7 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.7 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 69
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 15.7
Скорость записи, Гб/сек

7.3 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2057 1831

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM