RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2570
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link