RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3356
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link