RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3482
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link