RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2542
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link