RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2502
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link