RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
63
Около 57% меньшая задержка
Причины выбрать
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
63
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2543
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link