RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2871
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link