RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2871
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link