RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3238
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link