RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
73
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
1843
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link