Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB против Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 45

Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.3 10.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 8.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 26
Скорость чтения, Гб/сек

10.8 12.3
Скорость записи, Гб/сек

8.7 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2237 3153

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

модули RAM

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

модули RAM

Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB

Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

модули RAM

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Kingston 9965662-010.A00G 16GB

Kingston 9965662-010.A00G 16GB

модули RAM