Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 54

Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.6 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 7.5

Среднее значение в тестах

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

42 54
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 9.2
Скорость записи, Гб/сек

9.0 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 1990

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

модули RAM

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM