RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
74
Около -155% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3147
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link