RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3124
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link