Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

74 76

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 13.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.4 2,201.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

74 76
Скорость чтения, Гб/сек

4,178.4 13.6
Скорость записи, Гб/сек

2,201.1 6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

508 1624

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB

Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

модули RAM