RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2353
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link